光伏「鑫」勢力—— 鑄錠在左 區熔在右

        一位有多年研發經驗的前尚德科研人員告訴筆者:「簡而言之,單晶像清水,更容易變渾濁,而多晶本來就是渾水,所以雖然初始效率較低,但受外界影響較小。」當鑄錠單晶將「渾水」變清後,清水的壓力隨之而來。業內也在致力於解决單晶組件「清水」容易變渾的問題,一個重要方向就是「超純水」—區熔單晶。

        區熔法又稱Fz法,即懸浮區熔法。利用熱能在半導體棒料的一端產生一熔區,再熔接單晶籽晶。區熔法是極高純矽單晶生產的首選技術,由於不用坩堝,避免了來自坩堝的污染,而且還可以利用懸浮區熔進行多次提純,所以單晶的純度高,同時Fz單晶的氧含量比直拉矽單晶(見半導體矽材料)的氧含量低2-3個數量級,很好解决光衰問題。

        但區熔單晶的工藝比直拉單晶困難得多,目前內地走在最前面的是中環股份。目前中環股份區熔矽單晶拋光片產量全球第三,內地第一。對於現有直拉單晶大廠來說,轉向區熔法涉及設備全面改造,因此目前處理單晶的衰減多以攙鎵替代攙硼為主,避免硼氧複合的出現。

        隨著組件效率和價格的變化,以及領跑者項目推動,讓直拉單晶的性價比在2015年達到閾值,開始進入快速增長期,而未來隨著材料成本在整個系統中佔比進一步降低,或許在不遠的一段時間內,隨著以直拉單晶為基礎的光伏電池為提升性能而增加成本和區熔法成本的進一步下降,區熔法的「閾值」也將來臨,屆時同鑄錠單晶一起瓜分大部份單晶市場。

        但一個不確定因素還在超薄矽片環節,以前多晶組件成本受限的重要原因之一在於單晶矽片可以切得更薄,達到90-110μm,而多晶矽片在這方面則因為材料本身的限制難以做到這一點。新的鑄錠單晶在未來超薄大戰中表現如何,還需要協鑫等領軍企業進一步發佈數據報告。

索比光伏網主編

曹宇

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