韓媒報導，三星電子預計將在下周宣佈大規模生產3納米芯片，下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around(GAA)技術之上。三星稱，與現有的FinFET工藝相比，該技術將使芯片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。

今年5月，美國總統拜登訪韓時參觀了三星的平澤工廠，三星向其展示了該公司的3納米芯片。

三星與台積電在芯片製造領域保持激烈競爭 ，台積電近日表示，將在今年下半年開始大規模生產3納米芯片。而此前三星表示，其2納米工藝節點正處於早期開發階段，計劃在2025年實現量產。